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EUPEC/英飛凌FZ2400R17KF6C-B2 IGBT模塊

日期:2025-03-14 00:47
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摘要:供應(yīng)EUPEC/英飛凌FZ2400R17KF6C-B2 IGBT模塊 型號(hào):FZ2400R17KF6C-B2 廠家:EUPEC/英飛凌 電漢:2400A 保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響,F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2并限制柵極阻抗的小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度只能提高到一個(gè)與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力,而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大,也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL(可控軸向壽命)二極管,使得反向峰值電流小,從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流小。 ...
供應(yīng)EUPEC/英飛凌FZ2400R17KF6C-B2  IGBT模塊
型號(hào):FZ2400R17KF6C-B2
廠家:EUPEC/英飛凌
電漢:2400A

保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響,F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2并限制柵極阻抗的小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度只能提高到一個(gè)與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力,而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大,也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL(可控軸向壽命)二極管,使得反向峰值電流小,從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流小。

   柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì),采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET,如圖3所示。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí),N通道MOSFET導(dǎo)通,當(dāng)信號(hào)為低電平時(shí),P通道MOSFET導(dǎo)通,從而產(chǎn)生一個(gè)兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級(jí)可有一路或兩路輸出。根據(jù)輸出級(jí)有一路還是兩路輸出,可實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)或兩個(gè)柵極電阻(導(dǎo)通,關(guān)斷)的用于對(duì)稱或不對(duì)稱柵極控制的解決方案。

柵極電阻的計(jì)算

   對(duì)于低開關(guān)損耗,無FZ2400R17KF6C-B2模塊振蕩,低二極管反向恢復(fù)峰值電流和大dv/dt限制,柵極電阻必須體現(xiàn)出佳的開關(guān)特性。通常在應(yīng)用中,額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅(qū)動(dòng);同樣的,額定電流小的IGBT模塊,將需要較大的柵極電阻。也就是說,IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給的電阻值必須為每個(gè)設(shè)計(jì)而優(yōu)化。IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中指定了柵極電阻值。然而,優(yōu)的柵極電阻值一般介于IGBT數(shù)據(jù)表中所列的值和其兩倍之間。IGBT數(shù)據(jù)表中所指定的值是小值;在指定條件下,兩倍于額定電流可被地關(guān)斷。在實(shí)際中,由于測試電路和各個(gè)應(yīng)用參數(shù)的差異,IGBT數(shù)據(jù)表中的柵極電阻值往往不一定是佳值。上面提到的大概的電阻值(即兩倍的數(shù)據(jù)表值),F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2可被作為優(yōu)化的起點(diǎn),以相應(yīng)地減少柵級(jí)電阻值。確定終優(yōu)值的途徑是測試和衡量終系統(tǒng)。使應(yīng)用中的寄生電感小很重要。這對(duì)于保持IGBT的關(guān)斷過電壓在數(shù)據(jù)表的指定范圍內(nèi)是必要的,特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間以及開關(guān)損耗。柵級(jí)峰值電流的大值和柵級(jí)電阻的小值分別由驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)的性能決定。

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